7月3日，三星电子在其半导体介绍网站上发布了“Exynos W1000”，标志着可穿戴技术的一个重要里程碑。Exynos W1000 是首款采用最新 3nm 全环绕栅极 （GAA） 工艺的可穿戴应用处理器 （AP），有望为智能手表提供更高的性能和能效。
三星电子解释说：“Exynos W1000 凭借其基于 3nm 工艺的低功耗设计和 LPDDR5 内存升级，帮助用户在更长时间地使用智能手表的同时享受优质体验。这款新芯片组预计将出现在即将推出的三星 Galaxy Watch7 中，该款将于 7 月 10 日（当地时间）在法国巴黎举行的“Galaxy Unpacked”活动中亮相。
Exynos W1000 拥有由一个大核心和四个小核心组成的全新 CPU 结构，显著提高了性能和能效。据三星电子称，与其前身 W930 相比，多核基准测试性能提高了 3.7 倍，访问主要应用程序的速度提高了 2.7 倍。此外，该芯片组还包括 2.5D 常亮 （AOD） 引擎，提供更明亮、更丰富的表盘，同时提高电源效率，一次充电即可延长智能手表的使用时间。芯片尺寸也有所减小，为可穿戴设备提供了更多空间，并提高了设计灵活性。
Exynos W1000 预计将支持“设备端 AI”，可直接从手腕上实现实时翻译呼叫和基于语音识别的信使回复。Galaxy Watch7 还有望包括第二代三星生物活性传感器，这将提高睡眠测量、运动跟踪和生物识别信号监测的准确性。
三星电子在半导体和消费电子领域拥有悠久的创新历史。Exynos W1000 的推出采用先进的 3nm 工艺，突显了三星对突破技术界限的承诺。3nm工艺代表了半导体制造的重大进步，可以生产出更强大、更高效的芯片。全环绕栅极 （GAA） 工艺是一种尖端的晶体管架构，进一步提高了性能和电源效率，使 Exynos W1000 成为可穿戴技术的突破性发展。
随着消费电子市场的不断发展，电源效率和设备端人工智能的进步变得越来越重要。Exynos W1000 的低功耗设计和 AI 功能使其成为下一代智能手表的关键参与者，为用户提供具有更长电池寿命和高级功能的优质体验。
